Thứ Sáu, 28 thg 8, 2026
Hãng chip Hàn Quốc đang phát triển dòng sản phẩm bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ 7 nhằm đáp ứng các thông số tùy chỉnh mới cho hệ thống AI thế hệ tiếp theo của Nvidia. Thay vì tăng chiều cao các lớp bộ nhớ như xu hướng chung của ngành, thiết kế này chọn cấu trúc thấp hơn để giảm độ phức tạp khi sản xuất và tăng sản lượng cung ứng. Nvidia yêu cầu tốc độ mục tiêu đạt 17 đến 18 Gbps mỗi chân, tăng khoảng 20% đến 22% so với mức 14,4 Gbps trên các mẫu HBM4E đầu tiên của Samsung. Loại bộ nhớ tùy chỉnh này sẽ xuất hiện trên GPU AI Rubin Ultra, vốn tăng số lượng kết nối GPU từ 72 lên 576 đơn vị để bù đắp cho dung lượng bộ nhớ thấp hơn trên mỗi chip. Samsung đang nắm lợi thế cạnh tranh trước SK Hynix và Micron nhờ khả năng tự thiết kế và sản xuất cả DRAM lẫn logic-based base die.