TSMC, Samsung, Intel và ASML hợp tác triển khai mặt nưa in 12 inch cho litho EUV bước NA cao nhằm loại bỏ khoảng 30% sự mất hiệu suất do ghép mảnh reticle. Mặt nưa hiện tại 6 inch làm giảm nửa trường phơi sáng, ép các miếng chip AI accelerator lớn phải in trên hai lần phơi. Tiêu chuẩn mới 12 inch cho phép in chụp đơn cho các chip lớn trên máy quét giá từ 380 đến 400 triệu USD mỗi đơn vị.
TSMC bắt đầu sản xuất quy mô cao sử dụng EUV bước NA cao vào năm 2030, tập trung vào các nút cũ hơn để mở rộng vượt 1 nanometer. Công ty dự định dùng mặt nưa 6 inch hiện truyền trong thời gian đầu trước khi chuyển sang mặt nưa 12 inch đến năm 2033. Dây thử nghiệm công nghiệp cho định dạng mặt nưa lớn ấn định năm 2031 để giảm chi phí vốn mỗi chip cho các AI accelerator thế hệ tiếp theo.
Nguồn chính
- SOURCE@asmlcompany“rallying the chip industry around larger masks to give High NA EUV a productivity boost”x.com
- SUPPORT@photoncap“A10 or A11 (1/1.1nm-class) process nodes are prime candidates for initial High-NA EUV adoption”x.com
- SUPPORT@photoncap“12-inch masks restore full 26 mm × 33 mm exposure field”x.com
- SUPPORT@tculpan“This is HUGE news for @ASMLcompany”x.com
- SOURCE@reuters“work with major chipmakers to use latest tools for larger chips”x.com
- SUPPORT@cnbc“TSMC, Samsung commit to ASML’s newest chipmaking tools as AI drives demand”x.com
- SUPPORT@wallstengine“targets a 12-inch mask pilot line by 2031 and advanced-node production using 12-inch High NA EUV by 2033”x.com
- SUPPORT@wallstengine“High-NA EUV in future high-volume DRAM manufacturing by 2028, which the companies say would be an industry first”x.com