--- format: "aidr-story-markdown/v1" id: "4c87fd5f237b38537d256d37bb7b5a0db3c4d33f4360e5c78146b86879914e91" canonical_url: "https://aidr.today/4c87fd5f?lang=vi" title: "ASML và TSMC Áp Dụng Mặt Nạ EUV 12 Inch Để Loại Bỏ 30% Sự Mất Hiệu Suất" lang: "vi" requested_lang: "vi" available_langs: ["en","vi"] translation_fallback: null fallback_fields: [] published_at: "2026-09-08T18:43:38.000Z" category: "Chips" topics: ["nvidia","chips","infra"] source_urls: ["https://huggingnews.com/tech/asml-and-tsmc-adopt-12-inch-euv-masks-to-end-30percent-throughput-loss-f8acdeb4","https://x.com/ASMLcompany/status/2097210093687185825","https://x.com/PhotonCap/status/2097360980682711049","https://x.com/PhotonCap/status/2097361677159366871","https://x.com/tculpan/status/2097226305247076608","https://x.com/Reuters/status/2097215886536937613","https://x.com/CNBC/status/2097244314233401452","https://x.com/wallstengine/status/2097268421654360290"] summary: "TSMC, Samsung, Intel và ASML hợp tác triển khai mặt nưa in 12 inch cho litho EUV bước NA cao nhằm loại bỏ khoảng 30% sự mất hiệu suất do ghép mảnh reticle. Mặt nưa hiện tại 6 inch làm giảm nửa trường phơi sáng, ép các miếng chip AI accelerator lớn phải in trên hai lần phơi. Tiêu chuẩn mới 12 inch cho phép in chụp đơn cho các chip lớn trên máy quét giá từ 380 đến 400 triệu USD mỗi đơn vị. TSMC bắt đầu sản xuất quy mô cao sử dụng EUV bước NA cao vào năm 2030, tập trung vào các nút cũ hơn để mở rộng vượt 1 nanometer. Công ty dự định dùng mặt nưa 6 inch hiện truyền trong thời gian đầu trước khi chuyển sang mặt nưa 12 inch đến năm 2033. Dây thử nghiệm công nghiệp cho định dạng mặt nưa lớn ấn định năm 2031 để giảm chi phí vốn mỗi chip cho các AI accelerator thế hệ tiếp theo." --- # ASML và TSMC Áp Dụng Mặt Nạ EUV 12 Inch Để Loại Bỏ 30% Sự Mất Hiệu Suất > [Open the canonical story]() **Published:** 2026-09-08T18:43:38.000Z **Category:** Chips **Topics:** nvidia, chips, infra ## Summary TSMC, Samsung, Intel và ASML hợp tác triển khai mặt nưa in 12 inch cho litho EUV bước NA cao nhằm loại bỏ khoảng 30% sự mất hiệu suất do ghép mảnh reticle\. Mặt nưa hiện tại 6 inch làm giảm nửa trường phơi sáng, ép các miếng chip AI accelerator lớn phải in trên hai lần phơi\. Tiêu chuẩn mới 12 inch cho phép in chụp đơn cho các chip lớn trên máy quét giá từ 380 đến 400 triệu USD mỗi đơn vị\. TSMC bắt đầu sản xuất quy mô cao sử dụng EUV bước NA cao vào năm 2030, tập trung vào các nút cũ hơn để mở rộng vượt 1 nanometer\. Công ty dự định dùng mặt nưa 6 inch hiện truyền trong thời gian đầu trước khi chuyển sang mặt nưa 12 inch đến năm 2033\. Dây thử nghiệm công nghiệp cho định dạng mặt nưa lớn ấn định năm 2031 để giảm chi phí vốn mỗi chip cho các AI accelerator thế hệ tiếp theo\. ## Sources - [Story source]() - [Story source]() - [Supporting source]() - [Supporting source]() - [Supporting source]() - [Story source]() - [Supporting source]() - [Supporting source]()