Samsung và SK Hynix xây dựng NAND 286 lớp để đối phó với tiếp quyền thị trường của YMTC

Samsung đang hướng tới sản lượng 40.000 tấm nửa dẫn điệu vào tháng 12 năm 2027 tại cơ sở ở Xi'an như một phần trong nỗ lực nội bộ gọi là Monami để sản xuất chip V9 lớp 286. Động thái này, được SK Hynix cũng làm theo bằng cách nâu cấp nhà máy ở Dalian từ NAND 192 lớp lên hơn 240 lớp, đi sau một thay đổi trong phần thị phần khu vực nơi YMTC chiếm 38,5% thị phần NAND tại Trung Quốc trong quý hai, vượt qua Samsung với 33,5% và SK Hynix với 17%. Những nâu cấp nhà máy, chiếm 40% sản lượng NAND toàn cầu của Samsung, nhằm đáp ứng nhu cầu AI ngày càng tăng và lấy lại tính cạnh tranh trước đối thủ Trung Quốc.

Những vòng mở rộng này diễn ra bất chấp một tuyên bố của Bộ Thương mại Hoa Kỳ vào năm 2025 cho rằng họ không dự kiến cấp phép cho các nâng cấp công nghệ hoặc mở rộng sức công suất tại các nhà máy nước ngoài sở hữu ở Trung Quốc. Cả hai công ty đều khẳng định họ đang vận hành trong sự tham khảo với Washington và công việc tuân thủ quy tắc xuất khẩu. SK Hynix có thể sẽ thêm yêu cầu sự cho phép của Hoa Kỳ để nghiên cứu các chip có hơn 300 lớp tại trang web Dalian để chuẩn bị cho khả năng chuyển sản xuất NAND sang Hoa Kỳ.