← Về trang chính1 tin
Sản xuất hàng loạt cho bộ nhớ HBM4E của Micron sử dụng công nghệ DRAM 1-gamma được định hướng cho năm 2027. Theo báo cáo từ chuỗi cung ứng, công ty đang cân nhắc thử nghiệm kết nống lai trên biến thể HBM4E 12Hi, đưa công nghệ này về trước kế hoạch gốc cho HBM5 12Hi, dù thời gian tăng tốc sản xuất vẫn chưa rõ ràng.
Sự chuyển đổi này cho phép Micron tăng tốc phát triển đóng gói nâng cao trên núi nhớ thế hệ tiếp theo. Chiến lược này phù hợp với xu hướng ngành công nghiệp ngày càng tập trung vào việc coi công nghệ đóng gói như một yếu tố cạnh tranh quan trọng cùng với việc thu nhỏ núi nhớ để đạt hiệu suất băng thông cao.
Đăng nhập để góp ý, chỉnh sửa
Nguồn chính
- SOURCE@pequityresearch“Micron is looking to test HBM4E 12Hi with hybrid bonding, but ramp remains unclear”x.com
- SUPPORT@itsbenvale“Micron has confirmed that HBM4E will use 1γ DRAM, with volume production targeted for 2027”x.com
- SUPPORT@jukan05“Original plan was to do it for HBM5 12Hi, but the company is looking to expedite it on 1gamma”x.com